常用的熔斷器有哪些分類？

時間：2020-06-27

作者：上海秦邦電子科技有限公司

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【德國西門康可控硅】可控硅結構
可控硅結構大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結，對外有三個電極〔圖2(a）〕：**層P型半導體引出的電極叫陽極A，*三層P型半導體引出的電極叫控制較G，*四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2(b）〕可以看到，它和二極管一樣是一種單方向導電的器件，關鍵是多了一個控制較G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。以硅單晶為基
整流橋模塊出售
整流橋故障檢測方法：（1）如果正極性和負極性直流輸出電壓都不正常時，可以不必檢查整流二極管，而是檢測電源變壓器，因為幾只整流二極管同時出現相同故障的可能性較小。（2）對于某一組整流電路出現故障時，可按**介紹的故障檢測方法進行檢查。這一電路中整流二極管中的二極管VD1和VD3、VD2和VD4是直流電路并聯的，進行在路檢測時會相互影響，所以準確的檢測應該將二極管脫開電路。整流橋的分類：整流橋具有體積
晶閘管在焊機中的應用
焊機的工況是間歇性的。即晶閘管工作時結溫升高，停止工作時結溫降至一定值。再次工作，結溫在此值的基礎上升高。這里應該使用晶閘管設計實例1中提到的瞬態熱阻的概念。在這種情況下，熱平衡條件由安裝的散熱器和晶閘管的瞬態熱阻之和決定。計算公式見圖1。圖1在幾種常見載條件下等效結溫的計算公式(一)舉例說明。例1:某焊機采用六相半波帶平衡電抗整流線。滿負荷工作時，導角120°。每個晶閘管的平均電流為66.有效電
【英飛凌IGBT模塊】IGBT簡介
IGBT簡介IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙較型晶體管，是由BJT(雙較型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上