國芯思辰|兼容BL8062，電源穩壓器CN86L028可提升攝像機圖像質量

時間：2023-02-25作者：國芯思辰（深圳）科技有限公司瀏覽：147

國芯思辰（深圳）科技有限公司專注于MCU,NVSRAM,ADC/DAC等

• 詞條

  詞條說明

• 國芯思辰｜海速芯32位MCU TM32F103K7可替代STM32F103C8T6用于太陽能控制器中，無需外置AD

  太陽能的使用越來越普及，太陽能控制器使用了單片機和專業軟件，實現了智能控制，利用蓄電池放電率特性修正的準確放電控制。以下為TM32F103K7應用于太陽能控制器的原理框圖：點擊輸入圖片描述（較多30字）如上所示，TM32F103K7是海速芯（原“十速”）的32位MCU，該32位MCU采用高性能的ARM Cortex-M3內核，頻率72MHz，較高集成128Kbytes flash和20Kbytes

• 國芯思辰|肖特基二極管BM09K80N3用于便攜式電源解決戶外用電需求

  近年來，戶外露營在從一項小眾戶外運動發展成了**全國的休閑活動，這種說走就走的慢節奏生活的短暫旅程成了很多情侶、家庭、朋友、公司活動時代的選擇。在露營地居住，很多人都會選擇露營配套設施，比如野餐桌、烹飪廚具，照明，通訊等；但對于這個戶外的家，便攜式戶外電源的就起到很重要的作用，隨著需求日漸龐大，便攜式戶外電源的供電量和安全用電標準也逐步提升。在享受露營帶來快樂的同時，對于便攜式戶外電源的穩定性、安

• 國芯思辰｜基本半導體碳化硅肖特基二極管B2D10065Q用于升壓電源模塊

  在升壓電源模塊中，會用到肖特基二極管，但常規硅二極管一般耐壓低、損耗大。要想實現較高的380V電壓，硅二極管就不是很合適了。本文主要提到國產廠家基本半導體的碳化硅肖特基二極管B2D10065Q。升壓原理的基本電路如下圖所示，肖特基二極管應用位置已標注：B2D10065Q應用于28V升壓到380V的升壓電路中的主要特點如下：（1）耐壓高B2D10065Q的反向耐壓650V，在380V的直流升壓系統中

• 國芯思辰｜耐壓1200V的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊上，Rds為32mΩ

  隨著新能源汽車的普及，充電樁也成了日常配套的生活設施。目前市面上充電樁電源模塊的轉換效率已經可以做到99%，對于車輛快速且高效的充電有很大的意義。然而這對于設計者來說，功率器件的選型尤為重要。本文提到基本半導體的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊的LLC諧振電路中，可以有效降低熱損耗，提高工作效率，同時也可以減小變壓器等器件的體積。基本半導體的碳化硅MOSFET B1M0