微納加工應用

時間：2020-04-14

作者：儀準科技（北京）有限公司

詞條
詞條說明
FIB/SEM/EDX技術指標
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術指標一、技術指標 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離
FIB功能介紹
FIB - SEM雙束系統在微電子領域的應用隨著半導體電子器件及集成電路技術的飛速發展，器件及電路結構越來越復雜，這對微電子芯片工藝診斷、失效分析、微納加工的要求也越來越高。FIB - SEM雙束系統所具備的強大的精細加工和微觀分析功能，使其廣泛應用于微電子設計和制造領域。基本原理： FIB - SEM雙束系統是指同時具有聚焦離子束（Focused Ion Beam，FIB）和掃描電子顯微鏡（
探針臺支援湖北
儀準科技向湖北半導體產業伸出援助之手援鄂行動愛在傳遞儀準科技成立至今已逾十載，十年來在國家政策幫扶和半導體行業關愛下茁壯成長，砥礪前行！疫情當下，中國經濟發展將受到短暫的影響。儀準科技心系國家，將愛傳遞，特向受影響較大的湖北省援助**百萬的探針臺。援助方案分兩部分，總****過100**民幣1、免費捐贈探針臺產品（5臺）。 A、 ADVANCED PW-400-PCKG 3套每套配置如下：
芯片失效分析流程
典型失效分析流程失效分析一、失效分析簡述失效分析是一門新興發展中的學科，在提高產品質量，技術開發、改進，產品修復及仲裁失效事故等方面具有很強的實際意義。二、開展失效分析的意義失效分析對產品的生產和使用都具有重要的意義，失效可能發生在產品壽命周期的各個階段，涉及產品的研發設計、來料檢驗、加工組裝、測試篩選、客戶端使用等各個環節，通過分析工藝廢次品、早期失效、試驗失效、中試失效以及現場失效的樣