半導體技術公益課

時間：2020-04-15

作者：儀準科技（北京）有限公司

詞條
詞條說明
FIB/SEM/EDX技術指標
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術指標一、技術指標 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離
芯片失效分析方法
1 、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，無損檢查:１.材料內部的晶格結構，雜質顆粒．夾雜物．沉淀物．2. 內部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國 2 、X－Ray（這兩者是芯片發生失效后首先使用的非破壞性分析手段），德國Fein 微焦點Xray用途：半導體BGA，線路板等內部位移的分析；利于判別空焊，虛焊等BGA焊接缺陷. 參數：標準檢測分辨率＜500納米；幾何放大倍數: 2
突發！北方華創、長江存儲等31家被拉入UVL清單！
失效分析趙工?半導體工程師?2022-10-08 10:00?發表于北京剛剛，芯榜消息：根據美國聯邦公報，拜登**宣布了對中國獲得美國半導體技術的新限制，并增加了旨在阻止中國推動發展自己的芯片產業和提升該國軍事能力的措施。?據悉，美國商務部在其認為“未經證實”（UVL）的公司名單中添加了更多名稱，包括31家中國實體。這意味著美國供應商在向這些實體銷售技術時
失效分析實驗室選擇
失效分析技術，失效分析實驗室，失效機制是導致零件、元器件和材料失效的物理或化學過程。此過程的誘發因素有內部的和外部的。在研究失效機制時，通常先從外部誘發因素和失效表現形式入手，進而再研究較隱蔽的內在因素。在研究批量性失效規律時，常用數理統計方法，構成表示失效機制、失效方式或失效部位與失效頻度、失效百分比或失效經濟損失之間關系的排列圖或帕雷托圖，以找出必須首先解決的主要失效機制、方位和部位。任一產品