失效分析FA方法介紹

時間：2020-04-21

作者：儀準科技（北京）有限公司

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半導體材料SiC和GaN
寬禁帶半導體材料SiC和GaN 的研究現狀 **代半導體材料一般是指硅（Si）元素和鍺（Ge）元素，其奠定了20 世紀電子工業的基礎。*二代半導體材料主要指化合物半導體材料，如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、磷化鎵（GaP）、砷化銦（InAs）、砷化鋁（AlAs）及其合金化合物等，其奠定了20 世紀信息光電產業的基礎。*三代寬禁帶半導體材料一般是指氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氮化鋁（
科研測試補貼90% 附申請鏈接
科研測試補貼90% 附申請鏈接半導體元器件失效分析可靠性測試今天在北京地區注冊，具有獨立法人資格，在職正式職工不多于100人，營業收入1000萬元以下，注冊資金不**2000萬元，具有健全的財務機構，管理規范，無不良誠信記錄；每年度符合補貼要求的業務合同金額 10萬元及以下的部分按照較高不**過90%的比例核定； **過10萬元至50萬元的部分按照較高不**過60%的比例核定； **過50萬元至1
芯片分析方法
1.OM 顯微鏡觀測，外觀分析 2.C-SAM（超聲波掃描顯微鏡）（1）材料內部的晶格結構，雜質顆粒，夾雜物，沉淀物，（2）內部裂紋。（3）分層缺陷。（4）空洞，氣泡，空隙等。 3. X－Ray 檢測IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性，PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接，開路、短路或不正常連接的缺陷，封裝中的錫球完整性。（這幾種是芯片發生失效后首先使用的非破壞性
金相試樣制備及常見問題
金相試樣制備及常見問題金相分析是研究材料內部組織結構的重要方法，一般用來進行失效分析（FA）、質量控制（QC）、研發（RD）等。而金相試樣制備的目的是獲得材料內部真實的組織結構，需要通過不同的金相試樣制備方法去完成。一般來說，金相試樣制備的方法有：機械法（傳統意義上的機械制備--磨拋）、電解法（電解拋光和浸蝕）、化學法（化學浸蝕）、化學機械法（化學作用和機械作用同時去除材料）。金相試樣制備的