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整流橋故障檢測方法:(1)如果正極性和負極性直流輸出電壓都不正常時,可以不必檢查整流二極管,而是檢測電源變壓器,因為幾只整流二極管同時出現(xiàn)相同故障的可能性較小。(2)對于某一組整流電路出現(xiàn)故障時,可按**介紹的故障檢測方法進行檢查。這一電路中整流二極管中的二極管VD1和VD3、VD2和VD4是直流電路并聯(lián)的,進行在路檢測時會相互影響,所以準確的檢測應該將二極管脫開電路。整流橋的分類:整流橋具有體積
熔斷器保險絲是用于保護電路的安全設備。它們安裝于各種供電設和負載之間,電流過高時便會觸發(fā)熔斷器工作(俗稱“燒斷”),把負載從電源中斷開,減低過流造成設備損壞甚至引起火災的風險。燒斷了的保險絲必須棄置并替換,這是它們和功能相近的斷路器的主要分別──斷路器是可復位的。不過保險絲價格便宜,而且容易替換。新的保險絲應該與舊的有相同的額定電壓和載流。保險絲提供的安全機制使得它們成為各種應用的的**助手。保險
IGBT結構N溝道增強型絕緣柵雙較晶體管結構, N+區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源較(即**較E)。N基較稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵較(即門較G)。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩較之間的P型區(qū)(包括P+和P-區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),稱為亞溝道區(qū)(Subchannel region)。而在漏區(qū)另一側的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)(Drain injector),它是IGBT特有
測試可控硅模塊的升溫3個方法可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。1、可控硅模塊環(huán)境溫度的測定:在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計,溫度計測點距地面的高度與減速機軸心線等高,溫度計的放置應不受外來輻射熱與氣流的影響,環(huán)
公司名: 上海秦邦電子科技有限公司
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