HVA 真空閥門（真空閘閥）成功用于激光真空系統

時間：2024-01-11

作者：伯東企業（上海）有限公司

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KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220濺射沉積 ZrAlN薄膜
合金化是提高過渡族金屬氮化物薄膜硬度及抗磨損、耐腐蝕性能的有效方法。Al是常用合金化元素，能提高薄膜的硬度和抗高溫氧化性能。?北京某大學實驗室在對硬韌 ?ZrAlN 薄膜及薄膜力學性能研究中, 采用伯東?KRI?考夫曼射頻離子源?RFCIP220? 輔助磁控濺射沉積的方法在鈦合金和單晶 Si 上沉積不同 Al 含量的ZrAlN 薄膜.&n
KRI 離子源用于鍍制1064nm窄帶濾光片激光膜
?? ? ? 1064nm 窄帶濾光片是在各類玻璃材質表面通過特殊的鍍膜工藝而形成的光學元件, 可以從入射光中選取任意所需求的波長, 半峰值一般在 5nm~50nm之間, 具有波長定位準確、透過高、截止深、溫漂小、性好、光潔度好的特點, 是激光設備應用中常見的濾光片解決方案.?? ? ? 1064nm 窄帶濾光片使用在
KRI 霍爾離子源應用于黑膜鍍制
? ?? ? ?黑膜鍍制,?是指將入射到材料表面的光線,?包括紫外光、可見光、近紅外光以及中遠紅外波段的光,?幾乎全部吸收而基本沒有反射的表面處理技術.?高的吸收率使黑膜有著廣闊的應用前景.?如可在精密光學儀器和光學零件、醫療儀器、航空航天、外觀裝飾品等產品上得到廣泛使用,?可大幅度提高產
KRI 考夫曼射頻離子源濺射制備微晶硅薄膜
硅薄膜作為薄膜太陽能電池的材料越來越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽能電池由于存在轉換效率低和由 S-W 效應引起的效率衰退等問題, 而微晶硅薄膜具有較高電導率、較高載流子遷移的電學性質及優良的光學穩定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成為光伏領域的研究熱點.?采用磁控濺射沉積硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒氣體及相應的尾氣處理裝置, 有利于降低設備成本, 且工藝參數控制, 因此經過