氦質譜檢漏儀中壓開關柜檢漏

時間：2023-04-12

作者：伯東企業（上海）有限公司

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詞條說明
美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機應用
上海伯東某客戶在熱蒸發鍍膜機中配置美國?KRi 考夫曼離子源?KDC 40, 進行鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過同時的或連續的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應力, 工藝效率等.離子源鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD考夫曼離子源 KDC 40 到基片距離控制在 3
HVA 真空閥門 11000 用在 OLED 鍍膜機
國內某?OLED?鍍膜機廠家配置伯東美國?HVA?真空閥門?11000?系列，尺寸以?4”, 6”, 8”閥門口徑為主的標準不銹鋼氣動高真空閘閥,?HVA?不銹鋼真空閘閥?11000?系列標準技術規格:??下圖是某?OLED?鍍膜機廠家配置上海伯東美
氦質譜檢漏儀 MPCVD 檢漏, 實現金剛石膜制備
氦質譜檢漏儀 MPCVD 檢漏, 實現金剛石膜制備微波等離子體化學氣相沉積法 Microwave Plasma CVD (MPCVD) 是目前**上被用于金剛石膜制備的公認方法. MPCVD 裝置將微波發生器產生的微波經波導傳輸系統進入反應器, 并通入甲烷與氫氣的混合氣體, 在微波的激發下, 在反應室內產生輝光放電, 使反應氣體的分子離化, 產生等離子體, 在基板臺上沉積得到金剛石膜. 上海伯東某
KRI 考夫曼射頻離子源濺射制備微晶硅薄膜
硅薄膜作為薄膜太陽能電池的材料越來越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽能電池由于存在轉換效率低和由 S-W 效應引起的效率衰退等問題, 而微晶硅薄膜具有較高電導率、較高載流子遷移的電學性質及優良的光學穩定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成為光伏領域的研究熱點.?采用磁控濺射沉積硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒氣體及相應的尾氣處理裝置, 有利于降低設備成本, 且工藝參數控制, 因此經過