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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優
富士IGBT模塊:電力電子領域的核心動力在現代工業自動化與電力電子技術飛速發展的今天,富士IGBT模塊作為電力電子系統的核心部件,扮演著不可或缺的角色。作為一家專業代理國際知名品牌功率器件的企業,我們深知富士IGBT模塊在工業應用中的重要性。這款由富士電機傾力打造的高端功率器件,憑借其卓越的性能和可靠性,已成為眾多工業設備高效運行的關鍵**。富士IGBT模塊集成了絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的
嘉興可控硅模塊型號是指用于控制和調節電力系統的半導體模塊。它們通常由多個可控硅芯片組成,可以控制和調節電流、電壓和功率,廣泛應用于各種工業和商業設備中。嘉興可控硅模塊型號的種類繁多,根據不同的應用需求和功率大小,有不同的型號。常見的可控硅模塊型號有GTO、MOSFET、IGBT等。其中,GTO模塊通常采用門極可關斷技術,具有較高的輸入阻抗和較低的功耗,適用于中低功率的電力電子設備。MOSFET模塊
? ? ?熔斷器(fuse)是指當電流超過規定值時,以本身產生的熱量使熔體熔斷,斷開電路的一種電器。熔斷器是根據電流超過規定值一段時間后,以其自身產生的熱量使熔體熔化,從而使電路斷開;運用這種原理制成的一種電流保護器。熔斷器廣泛應用于高低壓配電系統和控制系統以及用電設備中,作為短路和過電流的保護器,是應用最普遍的保護器件之一。工作原理利用金屬導體作為熔體串聯于電路中,
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
聯系人: 林志勝
電 話: 0512-50111678
手 機: 18962647678
微 信: 18962647678
地 址: 江蘇蘇州昆山市昆山市玉山鎮富士康路932號
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