詞條
詞條說明
富士IGBT模塊概述富士IGBT模塊作為電力電子領域的核心功率器件,由全球知名半導體制造商富士電機精心打造,憑借其卓越的性能表現和可靠的品質保證,已成為工業自動化、新能源發電、軌道交通等領域的首選功率器件之一。富士電機在功率半導體領域擁有數十年的技術積累,其IGBT模塊產品線涵蓋了從低壓到高壓、從小電流到大電流的廣泛應用范圍,能夠滿足不同行業客戶的多樣化需求。作為一家專業代理國際知名品牌功率器件
ABB可控硅模塊讓電路控制更簡單在電路設計中,控制部分常常是一個關鍵環節,而選擇適當的控制模塊可以讓這個過程變得更為簡單和高效。ABB的可控硅模塊就是這樣一個優秀的選擇。首先,ABB可控硅模塊的特點之一是其高效率。可控硅是一種基于半導體的電子元件,能夠在低功耗下進行開關操作,使得電路在不需要大量電能的情況下也能進行有效的控制。這使得它特別適合用于各種需要節能控制的場合,如工業自動化、電力轉換系統等
引言在當今工業自動化與智能制造快速發展的時代,進口智能模塊作為高端電子元件的代表,正日益成為推動產業升級的關鍵力量。這些來自德國、日本等工業強國的先進技術產品,以其卓越的性能和可靠性,在電力電子、自動化控制等領域發揮著不可替代的作用。作為一家專業從事進口智能模塊銷售的企業,我們致力于為客戶提供最優質的解決方案,助力中國電力電子技術的進步與發展。進口智能模塊的主要種類 功率半導體模塊功率半導體模塊
1. 可控硅的特性。 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有第一陽極A1(T1),第二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳。 只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發電壓時,方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態,陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后,控制器G即使失去觸發電壓,只要陽極A
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
聯系人: 林志勝
電 話: 0512-50111678
手 機: 18962647678
微 信: 18962647678
地 址: 江蘇蘇州昆山市昆山市玉山鎮富士康路932號
郵 編:
網 址: qiwodz.cn.b2b168.com
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
聯系人: 林志勝
手 機: 18962647678
電 話: 0512-50111678
地 址: 江蘇蘇州昆山市昆山市玉山鎮富士康路932號
郵 編:
網 址: qiwodz.cn.b2b168.com