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美國 KRi 霍爾離子源輔助鍍膜 IBAD 應(yīng)用
上海伯東美國?KRi 霍爾離子源?EH 系列, 提供高電流低能量寬束型離子束, KRi?霍爾離子源可以以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號滿足科研及工業(yè), 半導(dǎo)體應(yīng)用.?霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設(shè)計提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū). 整體易操作, 易維護(hù), 安裝于各類真空設(shè)備中, 例如 e-beam 電子束鍍膜機(jī), lo
氦質(zhì)譜檢漏儀 MPCVD 檢漏, 實現(xiàn)金剛石膜制備
氦質(zhì)譜檢漏儀 MPCVD 檢漏, 實現(xiàn)金剛石膜制備微波等離子體化學(xué)氣相沉積法 Microwave Plasma CVD (MPCVD) 是目前國際上被用于金剛石膜制備的公認(rèn)方法. MPCVD 裝置將微波發(fā)生器產(chǎn)生的微波經(jīng)波導(dǎo)傳輸系統(tǒng)進(jìn)入反應(yīng)器, 并通入甲烷與氫氣的混合氣體, 在微波的激發(fā)下, 在反應(yīng)室內(nèi)產(chǎn)生輝光放電, 使反應(yīng)氣體的分子離化, 產(chǎn)生等離子體, 在基板臺上沉積得到金剛石膜. 上海伯東某
HVA 高真空閘閥應(yīng)用于 E-Beam 鍍膜機(jī)
因產(chǎn)品配置不同,價格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實際成交合同為準(zhǔn)。HVA 高真空閘閥應(yīng)用于 E-Beam 鍍膜機(jī)E-Beam 電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)用于在半導(dǎo)體, 光學(xué), **導(dǎo)材料等行業(yè)的研究與生產(chǎn), 比如基片蒸發(fā)沉積金屬, 導(dǎo)電薄膜, 半導(dǎo)體薄膜, 鐵電薄膜, 光學(xué)薄膜和介質(zhì)材料.E-Beam 鍍膜機(jī)設(shè)備組成:?系統(tǒng)主要由蒸發(fā)室, 電子, 進(jìn)樣室 (可選) , 旋轉(zhuǎn)基片加熱臺, 工作氣
上海伯東KRI離子源在半導(dǎo)體材料中的預(yù)清洗及刻蝕應(yīng)用
半導(dǎo)體材料(semiconductor material)是一類具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。二氧化硅是制造玻璃、石英玻璃、水玻璃、光導(dǎo)纖維、電子工業(yè)的重要部件、光學(xué)儀器、工藝品和耐火材料的原料,是科學(xué)研究的重要材料。?本文主要介紹上海伯東KRI離子源在半導(dǎo)體材料SiO2中的預(yù)清洗及刻
公司名: 伯東企業(yè)(上海)有限公司
聯(lián)系人: 葉南晶
電 話: 021-50463511
手 機(jī): 13918837267
微 信: 13918837267
地 址: 上海浦東高橋上海浦東新區(qū)新金橋路1888號36號樓7樓702室
郵 編:
網(wǎng) 址: hakuto2010.cn.b2b168.com
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