詞條
詞條說(shuō)明
美國(guó) KRi 霍爾離子源輔助鍍膜 IBAD 應(yīng)用
上海伯東美國(guó)?KRi 霍爾離子源?EH 系列, 提供高電流低能量寬束型離子束, KRi?霍爾離子源可以以納米精度來(lái)處理薄膜及表面, 多種型號(hào)滿足科研及工業(yè), 半導(dǎo)體應(yīng)用.?霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設(shè)計(jì)提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū). 整體易操作, 易維護(hù), 安裝于各類真空設(shè)備中, 例如 e-beam 電子束鍍膜機(jī), lo
HVA 真空閥門(mén) 11000 用在 OLED 鍍膜機(jī)
國(guó)內(nèi)某?OLED?鍍膜機(jī)廠家配置伯東美國(guó)?HVA?真空閥門(mén)?11000?系列,尺寸以?4”, 6”, 8”閥門(mén)口徑為主的標(biāo)準(zhǔn)不銹鋼氣動(dòng)高真空閘閥,?HVA?不銹鋼真空閘閥?11000?系列標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)規(guī)格:??下圖是某?OLED?鍍膜機(jī)廠家配置上海伯東美
美國(guó) KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機(jī)應(yīng)用
上海伯東某客戶在熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)中配置美國(guó)?KRi 考夫曼離子源?KDC 40, 進(jìn)行鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過(guò)同時(shí)的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應(yīng)力, 工藝效率等.離子源鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD考夫曼離子源 KDC 40 到基片距離控制在 3
HVA 高真空閘閥應(yīng)用于 E-Beam 鍍膜機(jī)
因產(chǎn)品配置不同,價(jià)格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)。HVA 高真空閘閥應(yīng)用于 E-Beam 鍍膜機(jī)E-Beam 電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)用于在半導(dǎo)體, 光學(xué), **導(dǎo)材料等行業(yè)的研究與生產(chǎn), 比如基片蒸發(fā)沉積金屬, 導(dǎo)電薄膜, 半導(dǎo)體薄膜, 鐵電薄膜, 光學(xué)薄膜和介質(zhì)材料.E-Beam 鍍膜機(jī)設(shè)備組成:?系統(tǒng)主要由蒸發(fā)室, 電子, 進(jìn)樣室 (可選) , 旋轉(zhuǎn)基片加熱臺(tái), 工作氣
公司名: 伯東企業(yè)(上海)有限公司
聯(lián)系人: 葉南晶
電 話: 021-50463511
手 機(jī): 13918837267
微 信: 13918837267
地 址: 上海浦東高橋上海浦東新區(qū)新金橋路1888號(hào)36號(hào)樓7樓702室
郵 編:
網(wǎng) 址: hakuto2010.cn.b2b168.com
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