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LPCVD 技術是在 10-1000Pa 的低壓環境中,通過氣態反應物在加熱基片表面發生化學反應,實現固態薄膜沉積的工藝。其**原理包含四個關鍵步驟:首先是氣體輸運,將硅烷、氨氣、一氧化二氮等反應氣體精準引入反應腔室,為反應提供物質基礎;其次是表面吸附,在 400-800℃的基片表面,氣體分子經物理與化學吸附形成吸附層,這是反應的前置條件;接著是化學反應,高溫下吸附的氣體分子分解或相互反應,生成二
公司名: 徐州恒霄電子科技有限公司
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